按照《中共北京市委组织部 北京市人力资源和社会保障局 北京市科学技术协会 共青团北京市委员会关于开展第十八届中国青年科技奖北京地区候选人提名工作的通知》的有关要求，北京物理学会常务理事根据申请者申报材料进行评审拟推荐叶堉参加评奖，为确保评选的公平、公正、公开，现将评审结果予以公示，欢迎社会各界给予监督。如有异议，请于公示期内向北京物理学会办公室实名反应，反应请以书面形式实名并加盖公章，提供联系方式。
联系电话：010-6275-1137
联系邮箱：fengwj@pku.edu.cn
公示时间：2024年3月27日-4月2日
北京物理学会
2024年3月27日
北京物理学会推荐"中国青年科技奖"名单
姓名 年龄 研究领域 工作单位
叶堉 39 凝聚态物理 北京大学
学习和工作经历：
1). 2003.09-2007.07 云南大学数理学院，理学学士
2). 2007.09-2012.07 北京大学物理学院，理学博士，指导老师：戴伦教授
3). 2016.07-至今 北京大学物理学院研究员，博士生导师
4). 2012.07-2016.07 加州大学伯克利分校博士后，合作导师：张翔教授
近五年荣誉与奖励：
1). 北京大学2022年度黄廷方/信和青年杰出学者奖
2). 2021中国十大新锐科技人物
3). 2021年度中国半导体十大研究进展
4). 2022年中国半导体十大研究进展提名
5). 2021年北京市自然基金杰出青年基金
6). 2017国家海外高层次人才引进计划青年学者
研究工作：二维材料物性与期器件
聚焦二维材料可控制备、物性与相关器件，共发表研究论文100余篇，其中第一作者和通讯作者论文69篇。第一作者和通讯作者论文包括2篇Science，3篇Nature Nanotechnology，Nature Photonics，Nature Electronics，Nature Synthesis，6篇Nature Communications，2篇PRX/PRL，7篇JACS/Nano Lett./ACS Nano，7篇Adv. Mater./Adv. Funct. Mater./Small。论文总被引用8900余次，H因子为43（Google Scholar数据），近5年ESI高被引论文共计5篇。申请中国专利9项，其中已授权3项。这些工作得到了国际同行的广泛关注和认可，多次被知名学者在专业学术期刊和媒体上引用并做专题报道（如Nature，Science，Nature Nanotech.，Nature Mater.，Nature Electron.，Phys. Rev. Lett.等众多权威杂志）。受邀在国际、国内和双边重要学术会议如INTERMAG、2DMAT等邀请报告50余次。
受邀担任Nature，Nature Nanotech.，Nature Photon.，Nature Comm.，Sci. Adv.，Phys. Rev. X，Phys. Rev. Lett.，Nano Lett.，ACS Nano，Adv. Mater.等学术期刊审稿人100余次，并被评为“2D Materials”（2019），“Journal of Semiconductors”（2020）和“Chinese Optics”（2020）期刊优秀审稿人。担任“Journal of Semiconductors”（并被评为2020年度优秀编委），“Frontiers of Physics”和“InfoMat”杂志的青年编委，任中国物理学会应用物理前沿推荐委员会委员。“二维半导体单晶晶圆的可控制备”入选“2021年度中国半导体十大研究进展”，“二维半导体异质外延技术”提名“2022年度中国半导体十大研究进展”。入选海外高层次青年人才计划（2017），2021中国十大新锐科技人物称号等奖项与荣誉。获得北京市自然科学基金杰出青年基金资助（2021）。2018-2023年负责承担国家重点研发计划青年项目，2023年起负责承担国家重点研究计划项目，2023年起负责承担国家自然科学基金数理学部原创探索计划项目。
通过发展全新范式的二维半导体平面内外延技术，结合先进的电磁输运与磁光光谱学方法，瞄准二维半导体物理与器件中的重要科学问题开展研究，近5年取得的代表性成果包括：
（1）通过研究成核和晶体生长的动力学过程，揭示了从1T' MoTe2到2H MoTe2的固-固相变机制，绘制了其时间-温度-相变的相图（JACS 2019）；利用该相变机理实现了大面积的1T' MoTe2共面接触2H MoTe2的异质结构（Nano Lett. 2019），及原子级精度修复半导体2H MoTe2宏观缺陷的方法（Adv. Mater. 2020）；从而提出一种单个晶种触发的平面内二维外延生长技术，直接在器件基底上合成晶圆级单晶二维半导体2H MoTe2（Science 2021）；发展了不受晶格匹配限制的二维半导体异质外延技术（Nature Synth. 2022）。
（2）结合磁光光谱与理论模型，阐明了本征磁性拓扑绝缘体MnBi2Te4中的奇偶层数效应与层数相关的磁相图（Phys. Rev. X 2021）；研究了MnSb2Te4中层数依赖的铁磁和反铁磁行为（Phys. Rev. Lett. 2022）；揭示了MnBi4Te7和MnBi6Te10中铁磁-反铁磁共存的磁基态及其交换偏置效应（Nature Comm. 2022）；可控调控了二维磁性半导体CrBr3的晶体结构和磁基态并揭示了其对应关系（JACS 2023）。
（3）聚焦二维系统耦合的新奇量子效应及高效率器件，在磁性外尔半金属Co3Sn2S2中观测到高效的自旋转移力矩驱动的磁调控（Nature Electron. 2023）；揭示了二维条状反铁磁体CrOCl中的磁相变和磁弹耦合（Nano Lett. 2022），并通过其磁电耦合效应，实现了单个器件的多阻态数据存储（Nature Comm. 2023）；发现了石墨烯/CrOCl异质界面新奇的量子霍尔效应（Nature Nanotech. 2022），且再双层石墨烯/CrOCl异质界面观察到关联绝缘态，从而开发了基于该量子效应的新原理逻辑器件（Nature Comm. 2023）；实现了基于二维磁性半导体的磁调控的激子极化激元（Nature Comm. 2023）。
|
